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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Gesamtnote
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
31
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.0
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3077
3649
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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