RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
36
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
36
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2281
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
A-DATA Technology AX5U6000C4016G-B 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link