RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
30
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
30
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3050
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link