RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
42
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
42
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
2701
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link