RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
37
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
19
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
3310
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link