RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
39
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
39
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
7.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
1768
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link