RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сравнить
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
-->
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
39
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
39
Скорость чтения, Гб/сек
17.8
7.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3285
1768
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link