RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
39
Intorno 15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.8
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
39
Velocità di lettura, GB/s
17.8
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3285
1768
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link