RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Porównaj
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1683
2179
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link