RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
34
Wokół strony -6% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
32
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
2786
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB4B-25C 1GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link