RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
42
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
19200
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2808
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link