RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Pontuação geral
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Por volta de 1.11% maior largura de banda
Razões a considerar
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
42
Por volta de -14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16
13.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.3
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
12.6
Largura de banda de memória, mbps
21300
19200
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
2808
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link