RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Porównaj
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
9.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
14.7
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.2
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2272
3191
AMD R534G1601U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link