RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
64
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
34
64
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2636
2052
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link