RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3217
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link