RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
29
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
20
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
19.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
4235
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link