RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2462
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link