RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
2462
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link