RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
43
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2422
3384
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link