RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
39
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
39
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2445
2808
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link