RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2760
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link