RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2760
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link