RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
42
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2760
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link