RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Comparar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
42
Por volta de -17% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.6
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.5
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
10.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2326
2760
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparações de RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link