RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3039
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link