RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
42
Около -35% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
3039
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link