RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
6.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2113
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link