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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.4
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
13.2
13.9
写入速度,GB/s
9.4
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2113
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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