RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.4
6.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.4
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2326
2113
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link