RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
42
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3035
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link