RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
42
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3109
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link