RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
30
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
22
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3830
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link