RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3193
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link