RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
34
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2096
3193
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link