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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Comparar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
34
Por volta de 32% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
9.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
23
34
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.4
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2096
3193
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
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G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
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