RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
76
Wokół strony 64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
76
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
10.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2198
1260
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BA1339.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link