RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Porównaj
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
31
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
31
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
10.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1304
1426
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link