Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 31
    Intorno -3% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.7 left arrow 9.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.3 left arrow 6.7
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    31 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    9.8 left arrow 10.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    6.7 left arrow 7.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1304 left arrow 1426
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti