RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Confronto
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
31
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.7
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
31
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
10.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1304
1426
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Inmos + 256MB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Segnala un bug
×
Bug description
Source link