Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB против Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Причины выбрать
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Причины выбрать
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 31

Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения

10.7 9.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.3 6.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

31 30
Скорость чтения, Гб/сек

9.8 10.7
Скорость записи, Гб/сек

6.7 7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1304 1426

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB

модули RAM