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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

总分
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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

总分
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Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 31
    左右 -3% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.7 left arrow 9.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.3 left arrow 6.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    12800 left arrow 10600
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    31 left arrow 30
  • 读取速度，GB/s
    9.8 left arrow 10.7
  • 写入速度，GB/s
    6.7 left arrow 7.3
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1304 left arrow 1426

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