Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB vs Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Puntuación global
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Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB

Puntuación global
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Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 31
    En -3% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    10.7 left arrow 9.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    7.3 left arrow 6.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    31 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    9.8 left arrow 10.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    6.7 left arrow 7.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1304 left arrow 1426
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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