RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
101
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
101
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
1382
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link