RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
79
Wokół strony 49% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
79
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
1710
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link