RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
71
Wokół strony 44% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2209
1902
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link