RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
71
Rund um 44% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2209
1902
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link