RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony -7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
27
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2282
3419
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905428-123.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link