RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.2
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2332
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link