RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
3119
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link