RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
44
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
3713
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link