Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 12.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    43 left arrow 65
    Wokół strony -51% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    9.7 left arrow 2,784.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 6400
    Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    65 left arrow 43
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,806.8 left arrow 12.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,784.6 left arrow 9.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    932 left arrow 2501
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania