RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
75
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
2,135.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
75
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
1548
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link