RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2973
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link