RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
1897
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link